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    豐田認真推進SiC功率半導體,設置專門生產線并做實車試驗【2】

    2014年06月24日08:15  來源:人民網

    豐田一直在致力于諸如最近將現有硅功率半導體的損耗降低到了第一代“普銳斯”所配備產品的1/4等的。
    原標題:豐田認真推進SiC功率半導體,設置專門生產線并做實車試驗

    由豐田與電裝、豐田中央研究所共同開發(a、b)。在廣瀨工廠設置了專用生產線(c)。已開始將SiC功率半導體配備在實車上進行實驗(d)。(圖和照片均來源于豐田)

    2013年12月,豐田在其電子設備與半導體核心開發基地——廣瀨工廠(愛知縣豐田市)內新設了SiC專用潔凈車間。還參加了技術研究聯盟“新一代功率電子研究開發機構”(FUPET)受日本新能源產業技術綜合開發機構(NEDO)委托的SiC開發項目。將通過自行開發和生產,積累與SiC半導體相關的技術經驗。豐田將與電裝等企業共享經驗,以早日使SiC半導體實用化,并促使量產瓶頸——成本大幅降低。

    損耗只有硅半導體的1/10

    功率半導體是混合動力車的核心元件。由于該元件用來處理馬達的驅動能量與制動時的再生能量,因此其損耗與車輛的燃效直接相關。SiC功率半導體的損耗只有現有硅產品的約1/10。

    而且,使用SiC功率半導體,還可以將PCU內的升壓電路與DC-AC逆變器的線圈及電容器小型化(圖2)。這是因為SiC功率半導體可使開關頻率提高到硅產品的10倍即100kHz。結果可使PCU的體積縮小到硅產品的1/5。同時還有助于降低成本。

    圖2 通過提高頻率,使線圈和電容器的尺寸縮小

    上面為配備功率半導體的PCU(動力控制單元)的電路構成。將電壓由200V提高至650V的升壓電路和DC-AC逆變器均使用線圈及電容器,這些線圈和電容器占據了很大體積。改用SiC功率半導體之后,如下面的圖所示,可以提高開關頻率,實現線圈和電容器的小型化。(該圖來源于豐田)

    但現狀是SiC功率半導體的成本比硅產品“高出一位數”(第3電子開發部部屬主任擔當部長濱田公守),會導致成本大幅上升,因為在混合動力車使用的半導體中,功率半導體的用量最大(圖3)。豐田期望讓半導體行業參與SiC產品化進程,來獲得SiC晶圓的量產效果。

    圖3 功率用途的半導體的用量最大

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    2. (責編:劉戈、陳建軍)

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